TOKYO, 02/03/2013 – Il prodotto, a bassa capacità, è in grado di sostenere l’alta tensione e migliorerà l’efficienza della commutazione ad alta velocità.
Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha annunciato oggi di aver lanciato N-ch MOSFET, un dispositivo duplice, a bassa capacità, per le commmutazioni ad alta velocità nei circuiti di ricarica ad alta tensione dei dispositivi mobili, come smartphone e tablet.
Toshiba High-speed Dual N-ch MOSFET for DC-DC Converters of Mobile Devices (Photo: Business Wire)
Visto che ai dispositivi mobili, compresi smartphone, telefoni cellulari, tablet e PC notebook si aggiungono sempre nuove funzioni, e poiché sussiste la necessità di avere batterie sempre più efficienti, ci si sforza di migliorare l’esperienza utente e tagliare i tempi di ricarica potenziando la densità di carica e aumentando in modo significativo la corrente e la frequenza di carica.
Redazione
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